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服务需求

标题: 硅烷热解法制区熔级多晶硅

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单位名称: 信阳技术交易市场

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联系人: 吴

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需求内容: 需求内容及预期目标：需要攻克硅烷CVD法制区熔级多晶硅技术难题，包括硅烷热解炉及内件构造，提升产品质量、降低能耗等。希望公司拥有硅烷CVD法制区熔级多晶硅核心技术，具有硅烷CVD炉的设计、制作、运行能力。预期目标就是能够稳定生产出区熔级多晶硅。现有工作基础（包括已开展的工作和已投入资金）：目前已建成年产100吨多晶硅生产线，生产运行一年半。已投入5000万元。主要的技术需求和预算： 1、硅烷CVD炉的设计和制作技术硅烷CVD法与国内普遍使用的改良西门子法不同，每根硅棒都有夹套，夹套大小、夹套与炉底盘的连接方式决定了后处理难易程度，也是决定产品质量和能耗高低的关键，是区熔级多晶硅生产中最关键设备。 2、无定形硅的有效控制技术硅烷性质比三氯氢硅活泼得多，易分解产生无定形硅，形成的固体硅就会以粉状，一般30-80nm大小，充斥于整个CVD炉的空腔中，粘附在硅棒上，内件上和内壁上。粘附在硅棒上将引起晶格改变，产生应力。如果内件和内壁上的粘附块二次粘附在硅棒上，就会引入金属杂质，反而影响硅棒的质量。 3、稳定、温和控制硅棒生长技术硅烷易分解，通常采用夹套冷却，但是随着硅棒生长，硅棒与夹套形成的环隙不断缩小，气体流动状态发生改变，其中的传热传质也随之改变，相应的电流与电压、硅烷流量、氢气与硅烷浓度配比需不断调整。鉴于硅烷生产多晶硅成本，需要成熟的一套或几套硅烷流量及与氢气配比和电流电压随反应时间变化的参数。 4、硅棒后处理防污染技术区熔级多晶硅除了生产工艺控制技术高，硅棒的后处理过程包括收割、搬运、包装等过程的防污染控制依然是保证产品纯度至关重要的一环。公司需要专业的多晶硅洁净后处理防污染控制技术。预计再投入6000万元。